09/10/2025 | Press release | Distributed by Public on 09/10/2025 02:48
Market News
München, 10. September 2025 - Die Infineon Technologies AG bringt ein 12-kW-Referenzdesign für Hochleistungsnetzteile (Power Supply Unit, PSU) auf den Markt, das speziell für KI-Rechenzentren und Serveranwendungen entwickelt wurde. Das Referenzdesign bietet eine hohe Effizienz und Leistungsdichte, wobei alle relevanten Halbleitermaterialien wie Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) zum Einsatz kommen. Es richtet sich an Forschungs- und Entwicklungsingenieure, Hardware-Designer sowie Entwickler von Leistungselektroniksystemen.
"Mit Blick auf den ständig zunehmenden Energiebedarf künstlicher Intelligenz leistet Infineon einen wichtigen Beitrag, indem wir Stromversorgungslösungen mit höchster Umwandlungseffizienz anbieten, um jedes einzelne Watt bestmöglich auszuschöpfen", sagt Richard Kunčič, Senior Vice President und General Manager Power Switches bei Infineon. "Unser neues Referenzdesign für 12-kW-Netzteile mit hoher Leistungsdichte nutzt fortschrittliche Energieumwandlungstopologien und setzt dabei auf CoolMOS™, CoolSiC™ und CoolGaN™. Dadurch kann das Netzteil sein volles Potenzial in Bezug auf Energieeffizienz, Zuverlässigkeit und Leistungsdichte ausschöpfen. Wir sind stolz darauf, bei der Stromversorgung für KI eine Vorreiterrolle einzunehmen."
Um eine hohe Leistungsfähigkeit zu erzielen, werden sowohl in der AC/DC- als auch in der DC/DC-Stufe fortschrittliche Topologien zur Leistungsumwandlung eingesetzt. Der Front-End-AC/DC-Wandler nutzt eine dreistufige PFC-Topologie mit Flying-Capacitor-Interleaving, die einen Spitzenwirkungsgrad von über 99,0 Prozent erreicht und gleichzeitig das Volumen der magnetischen Bauteile reduziert. Ermöglicht wird das durch die CoolSiC-Technologie von Infineon, die eine hohe Schaltleistung bei hervorragenden thermischen Eigenschaften bietet. Der isolierte DC/DC-Wandler verwendet einen Vollbrücken-LLC-Resonanzwandler und bietet einen Spitzenwirkungsgrad von über 98,5 Prozent. Realisiert wird dies durch den Einsatz von zwei planaren Hochfrequenztransformatoren und der CoolGaN-Technologie von Infineon. In Kombination mit den neuesten Wide-Bandgap-Technologien von Infineon erreichen diese Architekturen eine Leistungsdichte von bis zu 113 W/in³.
Ein weiteres wichtiges Merkmal des 12-kW-PSU-Referenzdesigns ist der bidirektionale Energiepuffer, der in die gesamte Stromversorgungstopologie integriert ist. Der Wandler ermöglicht die Einhaltung der Anforderungen an die Haltezeit und reduziert gleichzeitig den Kapazitätsaufwand erheblich. Darüber hinaus bietet der Energiespeicher eine Netzformungsfunktion, die die Systemzuverlässigkeit verbessert und sowohl die Leistungsschwankungen als auch die Änderungsrate der aus dem Netz bezogenen Leistung während transienter Ereignisse begrenzt.
Verfügbarkeit
Weitere Informationen zur Leistungssteigerung der KI-Netzteiltechnologie von 3 bis 12 kW und mehr sind hier verfügbar.
OktoberTech Taipeh
Weitere Informationen zum 12-kW-Netzteil-Referenzdesign gibt es auf der OktoberTech von Infineon in Taipeh am 11. September.
Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol "IFNNY" notiert.
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Das Referenzdesign der 12-kW-PSU von Infineon beinhaltet alle relevanten Halbleitermaterialien: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).
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Information Number : INFPSS202509-142
Michael Burner
Spokesperson Consumer, Compute & Communication, PSS Division
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